(បរទេស)៖ ក្រុមហ៊ុនបច្ចេកវិទ្យាយក្សកូរ៉េខាងត្បូង Samsung ទើបតែប្រកាសបង្ហាញកាលពីដើមខែនេះថា ខ្លួន បានចាប់ផ្តើមការផលិតបន្ទះឈីបជំនាន់ទី១ 3nm Gate-All-Around (GAA) នៅក្នុងទ្រង់ទ្រាយធំ ដែលមិនធ្លាប់មាន និងជាលើកដំបូង ហើយការផលិតនោះទៀតសោតក៏ទទួលបានជោគជ័យផងដែរ ដោយ Samsung ផ្ទាល់ទើបតែប្រារព្ធពិធីមួយដើម្បីអបអរសាទរការដាក់លក់បន្ទះឈីបកម្រិតខ្ពស់បំផុតរបស់ពិភពលោកជាលើកដំបូង។

បើយោងតាមការចេញផ្សាយរបស់សារព័ត៌មាន GSMArena នៅថ្ងៃទី២៦ ខែកក្កដា ឆ្នាំ២០២២បានឱ្យដឹងថា ពិធីអបអរសាទរការដាក់លក់ជាលើកដំបូងរបស់ Samsung នោះ មានមនុស្សចូលរួមប្រហែល ១០០នាក់ឯណោះ ដោយមានការចូលរួមពីសំណាក់នាយកប្រតិបត្តិក្រុមហ៊ុន Samsung និងនាយកប្រតិបត្តិក្រុមហ៊ុននានាដែលកំពុងស្វែងរកការប្រើប្រាស់បច្ចេកវិទ្យាថ្មី ក៏ដូចជាលោក Lee Chaang-yang ដែលជារដ្ឋមន្ត្រីក្រសួងពាណិជ្ជកម្ម ឧស្សាហកម្ម និងថាមពលរបស់កូរ៉េខាងត្បូងផងដែរ។

ទន្ទឹមនឹងនេះ Samsung បានលើកឡើងថា ខ្លួនបានចំណាយពេលនៅក្នុងការពិសោធន៍ទៅលើដំណើរការនេះអស់រយៈពេលជាយូរមកហើយ ហើយឥឡូវនេះបានត្រៀមខ្លួនរួចរាល់ក្នុងការផលិតបន្ទះឈីបជាច្រើនដោយប្រើដំណើរការថ្មីនេះ។ ជាមួយនឹងដំណើរការជំនាន់ទី១នេះ បន្ទះឈីប 3nm GAA នឹងផ្តល់នូវដំណើរការកាន់តែប្រសើរជាងមុនដល់ទៅ ២៣ភាគរយ ហើយវានឹងកាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់ថាមពលបានរហូតដល់ ៤៥ភាគរយ ខណៈដែលនឹងមានទំហំតូចជាងមុនដល់ទៅ ១៦ភាគរយបើធៀបទៅនឹង 5nm FinFET។

បន្ទាប់ពីទទួលជោគជ័យលើជំនាន់ទី១ នេះហើយ Samsung ត្រូវបានគេឱ្យដឹងថានឹងចាប់ផ្តើមធ្វើការលើជំនាន់ទី ២បន្ត ដែលវានឹងមានសមត្ថភាពខ្លាំងជាងជំនាន់នេះទៅទៀត៕